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2025年伯乐学教育普通高中学业水平选择性考试 押题(一)1化学C试题xb

[db:作者] 文档 2025-04-29 16:11:16 0
2025年伯乐学教育普通高中学业水平选择性考试 押题(一)1化学C试题xb

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10。中固芯片蚀刻技术国际领先,用N下?进行硅芯片蚀刻时产物均为气体,在蚀刻物表面不图
A.F2:表示2个铁离子B.O:表示3个氧原子
4
何残留物。该反应的徵观示意图如图所示,下列说法不正确的是(,)
C.500:表示5个-一氧化碳D.C0:表示氧化钙种钙元素化合价为+2价
5.氨化镶(GN)可用于制进太阳能电池。下列叙述正确的是()
A,镶属于非金属元素


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